[实用新型]一种湿法腐蚀碳化硅晶片的装置有效
| 申请号： | 201420142301.3 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN203768489U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张士祥;高玉强;柏文文;张婉君;高辉;张健 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250000 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于湿法腐蚀碳化硅晶片的装置，在炉膛底部设置有坩埚，坩埚中存放腐蚀剂，在坩埚底部设置有镍网，碳化硅晶片放置在镍网上；坩埚的外部周围设置有保温层，保温层的内部设置有加热层，用以为坩埚提供热量；热电偶从炉膛的外部，依次穿过加热层、保温层，从炉膛的一侧穿入坩埚中，热电偶的末端插入到坩埚中的腐蚀剂内，在热电偶的外侧包裹有热电偶保护圈。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 腐蚀 碳化硅 晶片 装置 | ||
【主权项】：
一种湿法腐蚀碳化硅晶片的装置，其特征在于，在炉膛底部设置有坩埚(3)，坩埚(3)中存放腐蚀剂，在坩埚底部设置有镍网(2)，碳化硅晶片放置在镍网(2)上；坩埚(3)的外部周围设置有保温层(9)，保温层(9)的内部设置有加热层(8)；热电偶(6)从炉膛的外部，依次穿过加热层(8)、保温层(9)，从炉膛的一侧穿入坩埚(3)中，热电偶(6)的末端插入到坩埚中的腐蚀剂内；在炉膛的顶端开口处，设置有保护盖(4)；所述的，在热电偶(6)的外侧包裹有热电偶保护圈(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东天岳先进材料科技有限公司，未经山东天岳先进材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420142301.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
