[实用新型]一种吸收式单刀八掷开关有效
申请号: | 201420096835.7 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN203775175U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 王玲;肖飞;唐小宏;杨刘均;吴涛;刘勇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K17/74 | 分类号: | H03K17/74 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提供一种吸收式单刀八掷开关,解决现有吸收式单刀八掷开关隔离状态下输出端反射系数大、导通状态下损耗大的问题。该开关包括公共输入端与对称分布的八个支路,由金属底板、微带基片以及间隔设置的PIN梁式二极管、第一、第二、第三PIN二极管芯、吸收电阻、隔直电容构成,其中PIN梁式二极管串接公共输入端,隔直电容串接输出端,第三PIN二极管芯与吸收电阻串联后接地,再与第一PIN二极管芯、第二PIN二极管芯并接于PIN梁式二极管负极与隔直电容之间;金属底板在第三PIN二极管芯相应位置开设有凹槽,吸收电阻设置于凹槽内。该开关隔离状态下,具有输出端驻波系数小,带宽较宽的特点,且在导通状态下,还具有损耗小,输入、输出端驻波系数小的优点。 | ||
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【主权项】:
一种吸收式单刀八掷开关,包括公共输入端与对称分布的八个支路,每个支路由金属底板、设置于金属底板上的微带基片以及间隔设置的PIN梁式二极管(D1)、第一PIN二极管芯(D2)、第二PIN二极管芯(D3)、第三PIN二极管芯(D4)、吸收电阻(R)、隔直电容(C1)构成,其中PIN梁式二极管(D1)设置于微带基片的微带线上,串接在公共输入端与各支路之间,隔直电容(C1)设置于微带线上串接输出端,第三PIN二极管芯(D4)串接吸收电阻后与第一PIN二极管芯(D2)、第二PIN二极管芯(D3)分别设置在金属底板上并接于PIN梁式二极管(D1)负极与隔直电容之间;其特征在于,所述金属底板在第三PIN二极管芯(D4)相应位置开设有凹槽,所述吸收电阻设置于凹槽内。
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