[实用新型]一种湿法蚀刻装置有效
| 申请号： | 201420060913.8 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN203733767U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 丁敬秀;陈福成;金滕滕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种湿法蚀刻装置，所述湿法蚀刻装置至少包括：具有环形本体并自转的晶圆抓取装置；朝向于所述环形本体的氮气管路；以及用于收容所述晶圆抓取装置并供给清洗液的清洗槽；所述环形本体由两个曲面组成，所述两个曲面的交接处以转轴连接，所述环形本体由该转轴实现开启或闭合。本实用新型提供的湿法蚀刻装置使晶圆的非反应面完全避免与晶圆抓取装置产生机械接触；同时晶圆的反应面向下，晶圆的非反应面通入氮气，能有效保护晶圆的非反应面不触及清洗液；清洗液与晶圆表面的接触比较均匀，提高晶圆湿法蚀刻工艺的片内均匀性；清洗槽内清洗液的温度控制比较稳定，能同时提高同批次及不同批次晶圆蚀刻的片间均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种湿法蚀刻装置，其特征在于，所述湿法蚀刻装置至少包括：具有环形本体并自转的晶圆抓取装置；朝向于所述环形本体的氮气管路；以及用于收容所述晶圆抓取装置并供给清洗液的清洗槽；所述环形本体由两个曲面组成，所述两个曲面的交接处以转轴连接，所述环形本体由该转轴实现开启或闭合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
