[实用新型]非制冷长波红外探测器用吸收层结构有效

专利信息
申请号: 201420028407.0 申请日: 2014-01-17
公开(公告)号: CN203772418U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 欧阳程;黄志明;周炜;吴敬;高艳卿;龙芳;褚君浩 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01J5/02 分类号: G01J5/02;G01J5/08
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 专利公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构,该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上,自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于:第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜,作为减反层和器件保护层,膜厚为1000nm–1200nm;第二金属层是膜厚为8nm–12nm的镍铬合金层,作为红外波段的吸收层;第三绝缘层是膜厚为50nm–100nm的二氧化硅薄膜,作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单,易与现有的微电子工艺兼容,适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8–14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。
搜索关键词: 制冷 长波 红外 探测 器用 吸收 结构
【主权项】:
一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构,它由氮化硅薄膜(1)、镍铬合金层(2)和二氧化硅薄膜(3)组成,其特征在于:所述的吸收层结构按辐射的入射顺序依次为氮化硅薄膜(1)、镍铬合金层(2)和二氧化硅薄膜(3);其中:所述氮化硅薄膜(1)的膜厚为1000nm–1200nm;所述镍铬合金层(2)的膜厚为8nm–12nm,其方块电阻为9.0Ω/□–10.0Ω/□;所述二氧化硅薄膜(3)的膜厚为50nm–100nm。
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