[发明专利]具有覆层的磁设备在审
| 申请号： | 201410858103.1 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104851431A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 黄晓岳;S-Y·杨;S·瑞莫;M·C·考茨基 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了具有覆层的磁设备。一种磁设备，包括：磁写入器；以及被放置为覆盖至少该磁写入器的覆层，该覆层包括钇氧化物、钪氧化物、镧系氧化物、锕系氧化物、锌氧化物、或其组合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 覆层 设备 | ||
【主权项】：
一种磁设备，包括：近场换能器(NFT)；以及覆层，被放置为覆盖NFT的至少一部分，所述覆层包括与NFT接触的内层和与内层接触的外层，其中内层包括钇氧化物、钪氧化物、镧系氧化物、锕系氧化物、锌氧化物、或其组合。
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