[发明专利]N型薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201410849259.3 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810587B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李关红;李群庆;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，至少部分的氧化镁层被酸腐蚀，从而使得处理后的氧化镁层逐渐呈现不连续的状态，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层，所述第二介质层在所述第一介质层的作用之下，能够对该半导体碳纳米管层进行电子掺杂，并具有良好的绝缘效果和隔绝空气中的氧气和水分子的作用；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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