[发明专利]一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片有效

专利信息
申请号: 201410846400.4 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104538836A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 梁雪杰;宗恒军;王警卫;刘亚龙;刘兴胜 申请(专利权)人: 西安炬光科技有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 代理人:
地址: 710077 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提出了一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片,尤其是一种宏通道型液体制冷片。制冷片主体为片装结构,上设有通水区和芯片安装区,芯片安装区位于液体制冷片主体的一端,为激光芯片安装的位置;通水区位于制冷片主体上靠近芯片安装区的位置;制冷片主体的通水区分为相互对应的A面和B面,A面和B面分别位于片状制冷片主体的上表面和下表面,通水区的A面设置有多个出水柱孔C,B面设置有多个进水柱孔D;A面的出水柱孔C与B面的进水柱孔D连通。本发明结构简单,没有微通道的复杂结构,采用的是通孔,对制冷液颗粒度要求不高且液体制冷通道被腐蚀的风险较低,在使用过程中可以提高整个半导体激光器器件的可靠性。
搜索关键词: 一种 用于 功率 半导体激光器 液体 制冷
【主权项】:
一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片,其特征在于:包括制冷片主体,制冷片主体为片装结构,该片状结构包括上表面和下表面;制冷片主体上设有通水区和芯片安装区,芯片安装区位于液体制冷片主体的一端,为激光芯片安装的位置;通水区位于制冷片主体上靠近芯片安装区的位置;制冷片主体的通水区分为相互对应的A面和B面两个面,所述的A面和所述的B面分别位于片状制冷片主体的上表面和下表面,所述的A面设置有多个出水柱孔C,所述的B面设置有多个进水柱孔D;所述的A面的出水柱孔C与所述的B面的进水柱孔D连通。
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