[发明专利]一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片

权利要求书

1.一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：包括制冷片主体，制冷片主体为片装结构，该片状结构包括上表面和下表面；制冷片主体上设有通水区和芯片安装区，芯片安装区位于液体制冷片主体的一端，为激光芯片安装的位置；通水区位于制冷片主体上靠近芯片安装区的位置；制冷片主体的通水区分为相互对应的A面和B面两个面，所述的A面和所述的B面分别位于片状制冷片主体的上表面和下表面，所述的A面设置有多个出水柱孔C，所述的B面设置有多个进水柱孔D；所述的A面的出水柱孔C与所述的B面的进水柱孔D连通。

2.根据权利要求1所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的A面的出水柱孔C与所述的B面进水柱孔D一一对应，两者穿通形成从A面至B面的通孔，出水柱孔C的横截面积等于或者小于进水柱孔D的横截面积。

3.根据权利要求1所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的A面的出水柱孔C与所述的B面进水柱孔D的对应方式是1个进水柱孔D对应N个出水柱孔C，N大于1；或者所述的A面的出水柱孔C与所述的B面进水柱孔D的对应方式为M个进水柱孔D对应1个出水柱孔C，M大于1，M个进水柱孔D的横截面积之和大于M个进水柱孔D在所对应的1个出水柱孔C横截面上的投影面积之和。

4.根据权利要求1-3之一所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的A面上设置密封区，环绕于出水柱孔C的周围密封区为环形的凹槽，用于放置密封装置；或者所述的B面上设置密封区，密封区环绕于进水柱孔D的周围，密封区为环形的凹槽，用于放置密封装置。

5.根据权利要求1-3之一所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的制冷片主体上设置有定位孔，用于固定液体制冷片。

6.根据权利要求2所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的从A面至B面的通孔形状为花瓣型，或者圆柱形，或者不规则形状。

7.根据权利要求3所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的A面的出水柱孔C和所述的B面的进水柱孔D的深度均不小于制冷片主体厚度的一半， A面的出水柱孔C与对应的B面的进水柱孔D存在通水重合区域。

8.根据权利要求3所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的A面的出水柱孔C和B面的进水柱孔D形状为圆柱型，或者矩形，或者菱形，或者多边形。

9.根据权利要求1-3之一所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的芯片安装区上设置应力缓释层，所述的应力缓释层以焊接或者金属键合的方式设置在芯片安装区上，应力缓释层的材料为铜钨、氮化铝或者氧化铍。

10.根据权利要求1-3之一所述的一种用于高功率半导体激光器的液体制冷片，其特征在于：所述的液体制冷片主体的厚度为1.0毫米—10.0毫米；长度为15毫米—30毫米；宽度为8.0毫米—30毫米；所述的A面的出水柱孔C和B面的进水柱孔D直径在0.3毫米—3.0毫米；所述的A面相邻两个进水柱孔D之间的壁厚不小于0.2毫米或者所述的B面相邻两个出水柱孔C之间的壁厚不小于0.2毫米。