[发明专利]一种用于MOCVD设备的喷淋头有效
申请号: | 201410844764.9 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104498904A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 张之;方海生;蒋志敏;郑江;刘胜;甘志银 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种用于MOCVD设备的喷淋头,属于气体喷淋装置,解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题,同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管,顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体;多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖,多根下层气管平行穿过下隔板和底盖,各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴;长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本发明通过对长、短喷嘴的分配方式,可以提高反应腔内气体均匀性,提高反应速率,抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况,能够提高晶体生长质量,显著提高晶体成品率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 设备 喷淋 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD设备的喷淋头,包括底座(1)、下隔板(2)、上隔板(3)、顶盖(4)和中心导管(5),其特征在于:所述底座(1)由支承环(1‑1)和底盖(1‑2)成一体构成,所述支承环(1‑1)为圆筒形,所述底盖(1‑2)固连并覆盖于所述支承环(1‑1)下端面;所述下隔板(2)和上隔板(3)在所述支承环1‑1的内孔轴向自下而上间隔平行设置,所述顶盖(4)固连于并覆盖所述底座1的支承环1‑1上端面;所述顶盖(4)和所述上隔板(3)之间的支承环内孔构成上层气腔;所述上隔板(3)和所述下隔板(2)之间的支承环内孔构成中间气腔;所述下隔板(2)和底盖(1‑2)之间的支承环内孔构成底层腔体;所述顶盖(4)表面中心具有进气接头(4A),其为空心圆柱;顶盖4表面还具有进水接头(4B)和出水接头(4C),所述中心导管(5)穿过所述顶盖(4)的进气接头(4A)和上隔板(3)连通中间气腔;中心导管(5)外壁与进气接头(4A)内孔之间形成与上层气腔连通的环形气道;所述进水接头(4B)通过穿过上隔板(3)和下隔板(2)的导水管连通所述底层腔体;所述出水接头(4C)通过穿过上隔板(3)和下隔板(2)的导水管连通所述底层腔体;多根上层气管(6)平行穿过所述上隔板(3)、下隔板(2)和底盖(1‑2),各上层气管(6)下端露出底盖(1‑2)部分装设有长喷嘴(7);多根下层气管(8)平行穿过所述下隔板(2)和底盖(1‑2),各下层气管(8)下端露出底盖(1‑2)部分装设有短喷嘴(9);所述长喷嘴(7)和短喷嘴(9)在底盖(1‑2)下表面交错均匀排列。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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