[发明专利]3DAMR传感器Z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法有效
| 申请号： | 201410842342.8 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576923A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 程晋广 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了两种3DAMR传感器Z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法，一种是在硅衬底上成长第一介质膜和第二介质膜，然后光刻刻蚀形成第二介质膜的沟槽，再用湿法或各向同性气体刻蚀方法刻蚀第一介质膜，在沟槽下方形成横向凹槽，最后成长第三介质膜和溅射磁电阻感应薄膜。第二种是在硅衬底上成长第一介质膜作为刻蚀阻挡层后，再成长一层第四介质膜，横向凹槽开在第四介质膜上。本发明利用不同膜质或不同掺杂浓度膜质之间对各向同性刻蚀具有选择比的特点，形成横向凹槽，再利用金属溅射成膜原理，形成Z方向磁电阻薄膜，不仅改善了图形定义好，而且简化了工艺，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | damr 传感器 方向 磁电 感应 薄膜 图形 定义 方法 | ||
【主权项】：
3D AMR传感器Z方向磁电阻感应薄膜图形定义方法，其特征在于，步骤包括：1)在硅衬底上成长第一介质膜；2)成长第二介质膜；所述第二介质膜在湿法刻蚀或各向同性的气体刻蚀中的刻蚀速率小于第一介质膜；3)以第一介质膜为刻蚀阻挡层，通过光刻和刻蚀形成第二介质膜的沟槽；4)用湿法刻蚀或各向同性的气体刻蚀方法对第一介质膜进行刻蚀，在所述沟槽下方形成横向凹槽；5)成长第三介质膜；6)溅射磁电阻感应薄膜。
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