[发明专利]LED衬底结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201410835299.2 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104538520A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;丁海生;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED衬底结构及其制作方法，在本发明提供的LED衬底结构中，第一GaN结构及第二GaN结构能够增加光的透射，从而可提高倒装LED芯片的出光效率，进而提高倒装LED芯片的发光亮度；第三GaN结构具有聚光作用，从而可提高倒装LED芯片的轴向发光亮度；此外，AlGaN层能够抑制第二GaN结构及第三GaN结构中的缺陷向外延伸，减少后续结构中的缺陷，进一步的，AlGaN层还能够提高倒装LED芯片的抗击穿能力，有利于倒装LED芯片性能及可靠性的提高。在本发明提供的LED衬底结构的制作方法中，工艺简单、可操作性强，适于大规模商业化生产，符合倒装LED芯片未来发展之路。 | ||
| 搜索关键词： | led 衬底 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED衬底结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底中的多个第一GaN结构；形成于多个第一GaN结构上的多个第二GaN结构；形成于所述衬底表面的多个第三GaN结构，所述多个第三GaN结构与所述多个第二GaN结构间隔排布；以及覆盖所述多个第二GaN结构及多个第三GaN结构的AlGaN层；其中，每个第一GaN结构及每个第二GaN结构的材料均为多晶GaN，每个第三GaN结构的材料为单晶GaN。
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