[发明专利]一种高强度LED芯片在审
申请号: | 201410828892.4 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN104538528A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 傅立铭 | 申请(专利权)人: | 苏州汉克山姆照明科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215163 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高强度LED芯片,包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层,其特征在于:还包括P型接触层,N型接触层,所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列;所述P型电极设置在P型接触层顶部,N型电极设置在N型接触层顶部。本发明提供的一种高强度LED芯片,结构稳定性好,可以运用于高温环境;机械强度高,易于处理和清洗。 | ||
搜索关键词: | 一种 强度 led 芯片 | ||
【主权项】:
一种高强度LED芯片,包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层,其特征在于:还包括P型接触层,N型接触层,所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列;所述P型电极设置在P型接触层顶部,N型电极设置在N型接触层顶部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州汉克山姆照明科技有限公司;,未经苏州汉克山姆照明科技有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410828892.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:压电陶瓷传感器振子
- 下一篇:提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法