[发明专利]粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201410818588.1 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104733401B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J7/20 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于，提供能够成品率良好地制造高可靠性的半导体装置的粘接薄膜及其用途。本发明为一种粘接薄膜，其用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、并将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物，其在120℃下且剪切速度50s‑1下的熔融粘度为50Pa·s以上且500Pa·s以下。热固化前的该粘接薄膜的25℃下的储能模量优选为10MPa以上且10000MPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 切割 芯片 接合 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种粘接薄膜，其用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋，并将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物，其在120℃且剪切速度50s‑1下的熔融粘度为50Pa·s以上且500Pa·s以下，所述粘接薄膜在热固化前25℃下的储能模量为10MPa以上且10000MPa以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
