[发明专利]晶体管、包括晶体管的图像传感器以及晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201410814936.8 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104752510A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 金都焕;郑容锡;金锺采;崔充硕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/146;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种晶体管包括：衬底；以及栅绝缘层，其形成在衬底上，包括具有用于感应衬底中的掩埋沟道的固定负电荷的负电荷储存层。栅电极形成在栅绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 包括 图像传感器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：衬底；栅绝缘层，其形成在所述衬底上，所述栅绝缘层包括具有用于感应所述衬底中的掩埋沟道的固定负电荷的负电荷储存层；以及栅电极，形成在所述栅绝缘层上。
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