[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法和操作方法，将低温TFT集成在硅基二极管阵列中，以形成在片的信号处理和放大电路，这样，可以即时地放大由PIN二极管获取的微弱电信号，抑制噪声，提高灵敏度；同时，通过低温TFT在片放大信号，可以降低铟柱封装引线中的寄生电容的影响；另外，低温TFT的工艺对硅基二极管像素单元的探测灵敏度没有影响，也不影响到后续的铟柱倒装焊的封装工艺。

主权项

一种半导体器件，包括半导体X线探测器的像素单元，其特征在于包括：硅基二极管阵列基板和读出电路阵列基板，其通过铟焊料球连接；所述读出电路阵列基板上形成有读出电路，第一钝化层以及第一UBM；所述硅基二极管阵列基板上形成有背面N+接触层，正面P+层，其中，所述背面N+接触层与所述正面P+层之间的所述硅基二极管阵列基板部分为本征层，从而形成了硅基PIN二极管；所述正面P+层之上还形成有氧化层，PIN接触层，第二钝化层以及第二UBM；其中，所述硅基二极管阵列基板的正面还形成有低温TFT，以构成像素单元内的在片信号处理和放大电路；所述低温TFT的栅极或沟道层形成于所述氧化层之中；所述PIN接触层包括两个部分，其第一部分的一端与所述正面P+层电连接，另一端与低温TFT的源极电连接；其第二部分的一端与所述第二UBM电连接，另一端与低温TFT的漏极电连接。