[发明专利]以慢光增强吸收的锗光检测器

摘要

一种以慢光增强吸收的锗光检测器，至少包括一依序具有一硅基板、一氧化层及一硅岛层的硅绝缘基板；一形成于该硅岛层上的锗条纹层；以及多个分别配置于该硅岛层的平面部，且位于该第一掺杂区及该第二掺杂区上的金属电极。藉此，本发明通过锗条纹层操作在慢光模式，利用硅岛层厚度d2、以及锗条纹层厚度d1与宽度w等参数，并以调变其缓变渐缩结构与周期性结构控制群折射，使锗的吸收系数可以在1600nm波长提高1dB/μm，与传统块状锗相比大约能提高1至2个数量级。

主权项

一种以慢光增强吸收的锗光检测器，其特征在于，包括：一硅绝缘基板，依序具有一硅基板、一氧化层及一硅岛层，该硅岛层具有一硅锗层交接面及一位于该硅锗层交接面两侧的平面部，且自部分该硅锗层交接面的下方延伸至部分该平面部的下方包含有一第一掺杂区及一第二掺杂区；以及一锗条纹层，形成于该硅岛层上，其具有一上表面及相对应的一第一侧表面与一第二侧表面，该锗条纹层于接近入光侧的方向包含有一缓变渐缩结构，且于远离入光侧的方向包含有一周期性结构。