[发明专利]一种MOS器件抗辐射加固的方法在审
| 申请号： | 201410801874.7 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104616985A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 秦利红 | 申请（专利权）人： | 余姚亿威电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/3115;H01L21/316 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件抗辐射加固的方法，该方法在原有的SiO2膜工艺制备基础上进行适当的改善，在SiO2中掺入Al、Cr、P或Mo，引入大量的电子俘获中心,减少了正电荷的积累和界面陷阱密度,从而提高耐辐射的能力。采用1000摄氏度干氧氧化工艺制备；氧化后用He、Ar等惰性气体代替N2作为退火气氛，可明显降低杂质浓度，制备出较纯的SiO2膜，提高元器件的抗辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 辐射 加固 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件抗辐射加固的方法，其特征在于，在原有的二氧化硅膜热氧化制备的工艺方法和工艺条件下，对其做合理的优化，在二氧化硅中掺入铝、铬、磷或钼后制膜，采用1000摄氏度干氧氧化工艺制备，氧化后用氦、氩等惰性气体代替氮气为退火气氛，退火温度为850～950摄氏度，栅氧化前用三氯乙烯或氯化氢净化炉管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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