[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410799646.0 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105789298B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管，包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极，阳极端包括衬底上的P型埋层、P型埋层上的N型缓冲区以及N型缓冲区表面的P+集电区；横向绝缘栅双极型晶体管还包括与阳极端邻接的沟槽栅极，沟槽栅极从N型缓冲区和P+集电区表面贯穿至P型埋层，沟槽栅极包括沟槽内表面的氧化层和填充于氧化层内的多晶硅。本发明还涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法。本发明当LIGBT关断时，集电极的P+区与沟槽栅极为反向偏置，寄生PMOS开启并处于放大状态，开始抽取漂移区中残余的少子空穴，通过栅氧的厚度可控制器件耐压，并保证较快的开关速度，达到快速关断的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向绝缘栅双极型晶体管，包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极，其特征在于，所述阳极端包括衬底上的P型埋层、P型埋层上的N型缓冲区以及N型缓冲区表面的P+集电区；所述横向绝缘栅双极型晶体管还包括与阳极端邻接的沟槽栅极，所述沟槽栅极从N型缓冲区和P+集电区表面贯穿至所述P型埋层，所述沟槽栅极包括沟槽内表面的氧化层和填充于所述氧化层内的多晶硅；所述P+集电区、N型缓冲区、P型埋层、氧化层及多晶硅形成纵向的PMOSFET；所述P型埋层只形成于阳极端。
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