[发明专利]一种硅片表面纳米孔结构的制备方法在审
| 申请号： | 201410797689.5 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104528631A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘静;伊福廷;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片表面纳米孔结构的制备方法，该方法包括：在硅片表面制备氯化铯岛结构；在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层铝金属薄膜，放入去离子水中超声剥离，去掉氯化铯岛结构及其上的铝金属薄膜，得到多孔铝薄膜；以多孔铝薄膜为掩膜，在等离子体刻蚀机的刻蚀腔体内对硅片表面进行深度刻蚀；去除硅片表面的多孔铝薄膜，在硅片表面得到纳米孔结构。利用本发明制备出的硅片表面纳米孔结构，位置无序地分布在硅片表面，纳米孔结构大小不同，直径呈高斯分布，深度相近，侧壁不平滑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片表面纳米孔结构的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在硅片表面制备氯化铯岛结构；步骤2：在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层铝金属薄膜，放入去离子水中超声剥离，去掉氯化铯岛结构及其上的铝金属薄膜，得到多孔铝薄膜；步骤3：以多孔铝薄膜为掩膜，在等离子体刻蚀机的刻蚀腔体内对硅片表面进行深度刻蚀；步骤4：去除硅片表面的多孔铝薄膜，在硅片表面得到纳米孔结构。
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