[发明专利]氮化钒多孔纳米带及其制备方法有效
| 申请号： | 201410795707.6 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104528667A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王进贤;刘浩强;苏卉;董相廷;于文生;杨铭;于辉;刘桂霞 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化钒多孔纳米带及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括四个步骤：(1)配制纺丝液；(2)采用静电纺丝技术制备PVP/C6H8O7/NH4VO3复合纳米带；(3)制备V2O5多孔纳米带，将所制备的PVP/C6H8O7/NH4VO3复合纳米带进行热处理得到；(4)制备VN多孔纳米带，将所制备的V2O5多孔纳米带置于高纯石墨坩埚中，用流动的NH3气进行氮化，得到VN多孔纳米带，具有良好的结晶性，属于立方晶系，厚度为341nm，宽度为2.30±0.27μm，长度大于20μm。本发明的制备方法简单易行，可以批量生产，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 多孔 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氮化钒VN多孔纳米带，其特征在于，氮化钒呈多孔纳米带形貌，具有良好的结晶性，属于立方晶系，厚度为341nm，宽度为2.30±0.27μm，长度大于20μm。
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