[发明专利]各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410795606.9 申请日: 2014-12-18
公开(公告)号: CN104532393B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 董相廷;马千里;于文生;王进贤;杨铭;王婷婷;于辉;刘桂霞 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: D01F8/10 分类号: D01F8/10;D01F8/16;D01F1/10;D01D1/02;D01D5/00;C08F120/14;C08G73/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括五个步骤:(1)沉淀法制备油酸包覆的Fe3O4纳米晶;(2)沉淀法制备Tb(BA)3phen配合物;(3)制备聚甲基丙烯酸甲酯;(4)配制纺丝液;(5)制备[Tb(BA)3phen/PMMA]//[PANI/PMMA]//[Fe3O4/PMMA]各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列,采用静电纺丝技术,使用并列三喷丝头制备。所制备的三色旗型纳米带阵列具有良好的发光、导电各向异性和磁性三功能。本发明的方法简单易行,可以批量生产,这种新型的纳米结构材料具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 各向异性 导电 磁光三 功能 三色 纳米 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列,其特征在于,三色旗型纳米带呈定向排列,形成阵列结构,具有发光、导电各向异性和磁性三种功能,三色旗型纳米带阵列表面上沿着纳米带长度方向导电性强,平均电导率为6.325×10‑4S/cm,而沿着垂直于纳米带长度方向导电性弱,平均电导率为1.28×10‑12S/cm,沿着三色旗型纳米带厚度方向的平均电导率为3.5×10‑9S/cm,具有各向异性导电性,每根三色旗型纳米带的宽度为10μm,厚度小于1μm,长度大于5mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学,未经长春理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410795606.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top