[发明专利]一种薄膜图案化的方法有效
申请号: | 201410776113.0 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN104460227B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 张磊;罗祝义;孟祥明;尹镇镐;郭建强;廖洪林 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种薄膜图案化的方法,涉及显示技术领域,能够解决制作线宽较小的薄膜层图案时,由于掩膜版开口区域较小,使得曝光不足,而引起的成膜缺陷。所述方法包括在基板的表面依次形成薄膜层和光刻胶;通过掩膜版对光刻胶进行第一次曝光,形成第一半固化区,第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于光刻胶的感光阈值;通过掩膜版对光刻胶进行第二次曝光,在第一半固化区上形成固化区;其中,固化区的宽度小于第一半固化区的宽度,固化区光刻胶的曝光的能量大于等于光刻胶的感光阈值;将光刻胶进行显影;对未被光刻胶覆盖的薄膜层刻蚀;将固化区的光刻胶剥离。 1 | ||
搜索关键词: | 光刻胶 半固化 固化区 掩膜版 曝光 薄膜图案 薄膜层 感光 薄膜层图案 光刻胶剥离 成膜缺陷 开口区域 曝光不足 基板 刻蚀 显影 线宽 覆盖 制作 | ||
在基板的表面涂覆一层薄膜层;
在所述薄膜层的表面涂覆光刻胶;
通过掩膜版对所述光刻胶进行第一次曝光,形成第一半固化区,所述第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于所述光刻胶的感光阈值;
通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光,在所述第一半固化区上形成固化区;
其中,所述固化区的宽度小于所述第一半固化区的宽度,所述固化区光刻胶的曝光的能量大于等于所述光刻胶的感光阈值;
将所述光刻胶进行显影;
对未被光刻胶覆盖的所述薄膜层刻蚀;
将所述固化区的光刻胶剥离。
2.根据权利要求1所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光,还包括在所述第一半固化区上形成第二半固化区;其中,所述第二半固化区与所述固化区的宽度之和小于所述第一半固化区的宽度,所述第二半固化区光刻胶的曝光的能量小于所述光刻胶的感光阈值。
3.根据权利要求2所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光包括:在所述第一半固化区上形成所述固化区以及位于所述固化区两侧的所述第二半固化区。
4.根据权利要求1所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述通过所述掩膜版对所述光刻胶进行第二次曝光包括:将所述第一次曝光采用的光源通过光过滤器,对所述光刻胶进行所述第二次曝光。
5.根据权利要求1所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述第一半固化区的宽度与所述第一次曝光的光刻胶成膜曝光量成正比。6.根据权利要求1所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述固化区的宽度与所述第二次曝光的光刻胶成膜曝光量成正比,与所述光刻胶的显影剥离时间成反比。7.根据权利要求3所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述固化区的宽度与所述第一次曝光的光刻胶成膜曝光量成正比;
所述固化区的宽度与所述第二次曝光的光刻胶成膜曝光量成正比;
所述固化区的宽度与所述光刻胶的显影剥离时间成反比。
8.根据权利要求1‑7任一项所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述薄膜层包括彩色膜层或黑矩阵膜层。9.根据权利要求1‑7任一项所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述薄膜层包括栅线膜层、数据线膜层或公共电极线膜层。10.根据权利要求4所述的薄膜图案化的方法,其特征在于,所述光过滤器包括高分辨率装置、光浓度滤光片或者特定光波长滤光片中的至少一种。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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