[发明专利]III‑N器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201410772862.6 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104576742B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 储荣明;罗伯特·科菲 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 鲁山,孙志湧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及III‑N器件及其形成方法。描述了一种III‑N器件，其具有III‑N材料层，位于III‑N材料层表面上的绝缘体层，位于绝缘体层的相对于III‑N材料层的相反侧上的蚀刻停止层，以及位于蚀刻停止层相对于蚀刻停止层的相对于绝缘体层的相反侧上的电极限定层。凹陷形成在电极限定层中。电极形成在凹陷中。绝缘体能够具有精确控制的厚度，尤其是在电极和III‑N材料层之间。 | ||
| 搜索关键词： | iii 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑N器件，包括：III‑N材料层；绝缘体层，所述绝缘体层在所述III‑N材料层的表面上；第一电极限定层，所述第一电极限定层在所述绝缘体层的相对于所述III‑N材料层的相反侧上；电极，其中凹陷形成在所述第一电极限定层中并且所述电极形成在所述凹陷中；堆叠，所述堆叠在所述第一电极限定层的相对于所述绝缘体层的相反侧上，其中所述堆叠包括蚀刻停止层和第二电极限定层；第二绝缘体层，所述第二绝缘体层在所述第一电极限定层和所述蚀刻停止层之间；以及第二电极，其中第二凹陷形成在所述第二电极限定层中和所述蚀刻停止层中，并且所述第二电极形成在所述第二凹陷中。
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