[发明专利]一种提高金属凸块在真空回流工艺中的成球率的方法有效
| 申请号： | 201410765890.5 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104485293A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 蒋路帆 |
| 地址： | 226004 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装领域中提高金属凸块在真空回流工艺中的成球率的方法。具体包括以下几个步骤：(1)在UBM(凸点下金属)上形成球形或方形的金属焊料凸块；(2)将步骤(1)所制备的金属焊料凸块经过毛刷进行清洗；(3)将经过步骤(2)处理过的金属焊料凸块置于真空回流炉中进行回流；(4)步骤(3)中回流后的金属凸块在真空的条件下冷却至40℃以下。采用本发明的技术方案，可以改善金属凸块在真空回流工艺中成球率低的问题，成球率从原来的99.5％提高到了99.98％，同时也有效改善了金属凸块成球后的表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金属 真空 回流 工艺 中的 成球率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高金属凸块在真空回流工艺中的成球率的方法，其特征在于，包括以下几个步骤：(1)在UBM上形成球形或方形的金属焊料凸块；(2)将步骤(1)所制备的金属焊料凸块经过毛刷进行清洗；(3)将经过步骤(2)处理过的金属焊料凸块置于真空回流炉中进行回流；(4)步骤(3)中回流后的金属焊料凸块在真空的条件下冷却至40℃以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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