[发明专利]等离子体处理装置以及聚焦环在审
| 申请号： | 201410757112.1 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701126A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 岸宏树;宫川正章;北畑利宪;岩田学 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置以及聚焦环。其抑制倾斜伴随着聚焦环的消耗进行变动。等离子体处理装置包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于载置面的被处理体的方式设于载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比载置面低的第1平坦部、比第1平坦部高并且不高于被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比被处理体的被处理面高的第3平坦部。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 聚焦 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于上述腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于上述载置面的上述被处理体的方式设于上述载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比上述载置面低的第1平坦部、比上述第1平坦部高并且不高于上述被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比上述被处理体的被处理面高的第3平坦部。
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