[发明专利]阵列基板及其制造方法和全反射式液晶显示器在审
申请号: | 201410752941.0 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN104375348A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 吕志军;李太亮;高涛;宁策;孙双 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪洋 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板,包括基板、位于基板上的多个像素区域、和形成在每个像素区域中的薄膜晶体管,每个像素区域包括像素电极区域,该薄膜晶体管包括层叠形成在基板上的栅极层和源/漏极层,该阵列基板还包括依次形成在基板上并至少覆盖在像素电极区域和薄膜晶体管上的平坦化层和反射电极层,该反射电极层与薄膜晶体管的漏极电连接,并且栅极层和源/漏极层中的至少一个由单层金属形成。本发明还提供了制造该阵列基板的方法和包括该阵列基板的全反射式液晶显示器。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 全反射 液晶显示器 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板、位于基板上的多个像素区域、和形成在每个像素区域中的薄膜晶体管,每个像素区域包括像素电极区域,该薄膜晶体管包括层叠形成在基板上的栅极层和源/漏极层,该阵列基板还包括依次形成在基板上并至少覆盖在像素电极区域和薄膜晶体管上的平坦化层和反射电极层,该反射电极层与薄膜晶体管的漏极电连接,并且栅极层和源/漏极层中的至少一个由单层金属形成。
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