[发明专利]一种光伏硅线切割废料烧结碳化硅陶瓷的生产工艺在审
| 申请号： | 201410747252.0 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105884364A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 任海涛 | 申请（专利权）人： | 任海涛 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;B09B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光伏硅线切割废料烧结碳化硅陶瓷的生产工艺，包括配置原料、湿法球磨、制备素坯和高温烧结四步骤。以光伏硅切割废料为主要原料，外加炭黑和胶体石墨和碳化硅粉制备反应烧结碳化硅陶瓷，可大大提高光伏硅线切割液的回收利用附加值，所述碳化硅陶瓷致密，吸水率和显气孔率低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光伏硅线 切割 废料 烧结 碳化硅 陶瓷 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种光伏硅线切割废料烧结碳化硅陶瓷的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：将光伏硅线切割废料、碳化硅、硅、炭源和聚乙烯醇按配比混合；S2：将S1所得混合物湿法球磨，浆料过110目筛；S3：将S2所得浆料烘干，干燥后造粒和干压成型，得素坯；S4：将制好的素坯放入石墨坩埚内，将素坯用硅粉填埋，然后在高温真空炉烧成，烧成温度为1600℃，保温时间30min，所述S1混合物固体重量中硅含量为30～32％。
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