[发明专利]一种石英晶体气敏微量天平气敏薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种石英晶体气敏微量天平气敏薄膜的制备方法，将Zn²⁺浓度为0.5-1mol/L的ZnO溶胶在室温下静态陈化24h即为ZnO晶种液；在石英晶振片的电极区域的表面涂覆ZnO晶种液，涂覆厚度小于0.05μm，采用红外照射加热方式对涂覆区域加热至300-400℃，保温度0.5-1h，自然冷却；以形成有ZnO晶种层薄膜的石英晶振片作基底，采用水热生长法在石英晶振片的电极区域的表面形成ZnO气敏薄膜，所得ZnO气敏薄膜的厚度为0.1-1μm。本发明利用了纳米ZnO比表面积大、热稳定性好、化学性能稳定等优势，首次在石英晶体微量天平的石英晶振片上制备出了纳米棒阵列结构的ZnO气敏膜层，并利用该气敏膜层实现了对微量天平表面改性，进而达到增加污染气体吸附的目的。

主权项

一种石英晶体气敏微量天平气敏薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、制备ZnO晶种液；将Zn²⁺浓度为0.5‑1mol/L的ZnO溶胶在室温下静态陈化24h即为ZnO晶种液；步骤二、在石英晶振片的电极区域的表面涂覆步骤一制备得到的ZnO晶种液，ZnO晶种液的涂覆厚度小于0.05μm，采用红外照射加热方式对涂覆区域加热至300‑400℃，保温度0.5‑1h，自然冷却，石英晶振片的涂覆区域表面形成ZnO晶种层薄膜；步骤三、以步骤二获得的形成有ZnO晶种层薄膜的石英晶振片作基底，采用水热生长法在石英晶振片的电极区域的表面形成ZnO气敏薄膜，所得ZnO气敏薄膜的厚度为0.1‑2μm，所得ZnO气敏薄膜呈纳米棒阵列。