[发明专利]一种石英晶体气敏微量天平气敏薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种石英晶体气敏微量天平气敏薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、制备ZnO晶种液；将Zn²⁺浓度为0.5-1mol/L的ZnO溶胶在室温下静态陈化24h即为ZnO晶种液；

步骤二、在石英晶振片的电极区域的表面涂覆步骤一制备得到的ZnO晶种液，ZnO晶种液的涂覆厚度小于0.05μm，采用红外照射加热方式对涂覆区域加热至300-400℃，保温度0.5-1h，自然冷却，石英晶振片的涂覆区域表面形成ZnO晶种层薄膜；

步骤三、以步骤二获得的形成有ZnO晶种层薄膜的石英晶振片作基底，采用水热生长法在石英晶振片的电极区域的表面形成ZnO气敏薄膜，所得ZnO气敏薄膜的厚度为0.1-2μm，所得ZnO气敏薄膜呈纳米棒阵列。

2.根据权利要求1所述一种石英晶体气敏微量天平气敏薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三中，水热生长法中所用生长溶液的配置步骤是：分别配制浓度均为0.06-0.12mol/L的六次甲基四胺溶液和硝酸锌溶液，超声5～10min，使两种溶液混合均匀，得到Zn²⁺浓度为0.03-0.06mol/L的混合溶液即为生长溶液。

3.根据权利要求2所述一种石英晶体气敏微量天平气敏薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三中，采用水热生长法在石英晶振片的电极区域的表面形成ZnO气敏薄膜的步骤是：将基底与水平方向的夹角为70-90°放入生长溶液中，在50-80℃下反应2-4h，取出处理后的基底用去离子水充分清洗，并晾干。