[发明专利]钙钛矿型材料制备方法和设备及其光伏器件的加工方法有效
申请号: | 201410743004.9 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104485425B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 崔天宏;荆高山;彭衍科 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人: | 张金芝,代峰 |
地址: | 100084 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种钙钛矿型材料的制备方法和设备以及使用该材料的光伏器件加工方法。其中,提出了一种以气相‑固相反应来制备钙钛矿型材料的方法以及以蒸镀法来制备沉积有前体BX2膜的基体的方法,同时还提出了一种用于上述方法的专用设备。上述钙钛矿型材料的制备方法可以用于光伏元件的加工,得到具备优良光电性质的光伏元件。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿型 材料 制备 方法 设备 及其 器件 加工 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿型材料的制备方法,该方法包括如下步骤:步骤1,制备沉积有前体BX2膜的基体;步骤2,将所制备的沉积有前体BX2膜的基体和前体AX置于压力和温度可控的反应炉中,并通过压力控制装置将反应炉的压力控制到接近真空状态,其中,所述前体AX与沉积有所述前体BX2膜的基体相对设置;步骤3,通过控制加热温度,使得前体AX成气态,其与固态的前体BX2膜发生气相‑固相反应,生成具有钙钛矿型结构的ABX3膜;步骤4,对所生成的钙钛矿型结构的ABX3膜进行退火;其中,A为CH3NH3‑、HCONH3‑、HN=CH NH3‑中的一种,B为Pb、Sn中的一种或者其混合物,X为I、Cl、Br、IxBryCl3‑x‑y(0≤x、y≤3)中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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