[发明专利]一种多模式SRAM单粒子测试方法及装置在审

专利信息
申请号: 201410736515.8 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104485135A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 刘倩茹;赵发展;刘刚;罗家俊;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种多模式SRAM单粒子测试方法及装置,该装置包括以下结构:控制板,所述控制板包括电源模块、通信模块、缓存模块、主控模块、电流监控模块、电平转换模块和第一接口模块;测试板,所述测试板包括第二接口模块和测试夹具。根据本发明的另一个方面,还提供了一种多模式SRAM单粒子测试方法。本发明提出的装置可采用三种模式测试多片SRAM芯片,测试时,被测SRAM的电源与信号电压值可按需要在上位机中设置,方便测试。通过将测试系统的数据对比工作放在FPGA中进行,并且采用快速的错误位统计算法,可快速、实时的获取对比的错误数据。
搜索关键词: 一种 模式 sram 粒子 测试 方法 装置
【主权项】:
一种多模式SRAM单粒子测试装置,该装置包括以下结构:控制板(100),所述控制板包括电源模块(101)、通信模块(103)、缓存模块(102)、主控模块(104)、电流监控模块(105)、电平转换模块(106)和第一接口模块(107);测试板(200),所述测试板包括第二接口模块(201)和测试夹具(202)。
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