[发明专利]超低K介质层的形成方法有效
| 申请号： | 201410736227.2 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105720005B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种超低K介质层的形成方法，包括：提供基底；提供第一前驱体，所述第一前驱体为乙氧基硅烷；提供第二前驱体，所述第二前驱体为二硅氧烷；将第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气供入反应腔室进行反应，在基底上形成超低K介质层；对所述超低K介质层进行UV处理工艺，去除超低K介质层中的造孔剂，在超低K介质层中形成孔洞。本发明的超低K介质层的形成方法提高了形成的超低K介质层的机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低K介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；提供第一前驱体，所述第一前驱体为乙氧基硅烷；提供第二前驱体，所述第二前驱体为二硅氧烷；将第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气供入反应腔室进行反应，在基底上形成超低K介质层，所述超低K介质层包括位于基底上的初始层和位于初始层上的体层，超低K介质层的形成过程为：在所述基底上形成初始层，形成的初始层中不会含有造孔剂，后续通过UV处理后，初始层中不会存在孔洞；在初始层上形成体层；形成所述体层时，第一前驱体与第二前驱体的流量比为1:10～1:2；对所述超低K介质层进行UV处理工艺，去除超低K介质层中的造孔剂，在超低K介质层中形成孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
