[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号： | 201410720206.1 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104681426A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 郑仁一;金禹永;李映一;金鹏 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置。本发明的一个实施例的基板处理装置包括：对基板实施预定工艺的工艺室；测量所述工艺室内的压力测量仪；接收所述压力测量仪测量的压力值，并决定所述工艺室的内部的打开时间的控制器；所述控制器可从所述工艺室内压力值达到预先设定的打开压力的一刻开始，并达到设定条件时，打开所述工艺室内部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，包括：对基板实施预定工艺的工艺室；测量所述工艺室内的压力的压力测量仪；及接收所述压力测量仪测量的压力值，并决定所述工艺室内部的打开时间的控制器，所述控制器在从所述工艺室内压力值达到预先设定的打开压力的一刻开始，并达到设定条件时，打开所述工艺室内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
