[发明专利]消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法

摘要

本发明公开了消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法，涉及微电子领域。该方法为：采用光学线宽测量仪测量多晶硅栅极中原始的底部抗反射层的厚度H1，并设定第一次刻蚀时间；根据设定的第一次刻蚀时间对多晶硅栅极进行第一次刻蚀，并获取第一刻蚀的厚度H2；根据原始的底部抗反射层的厚度H1和第一刻蚀的厚度H2，采用制程控制系统进行监测对所述多晶硅栅极进行第二次刻蚀。本发明在多晶硅栅极刻蚀前，采用光学线宽测量仪测量多晶硅底部抗反射层厚度；通过制程控制系统针对底部抗反射层的厚度，使用相应的刻蚀工艺参数，时时反馈修正刻蚀时间，对多晶硅多晶硅栅极进行刻蚀，达到消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的目的，提高了产品的良率。

主权项

1.消除多晶硅刻蚀工艺中多晶硅残余的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.采用光学线宽测量仪测量多晶硅栅极中原始的底部抗反射层的厚度H1，并设定第一次刻蚀时间；步骤2.根据设定的第一次刻蚀时间对所述多晶硅栅极进行第一次刻蚀，并获取第一刻蚀的厚度H2；步骤3.根据原始的底部抗反射层的厚度H1和第一刻蚀的厚度H2，采用制程控制系统进行监测对所述多晶硅栅极进行第二次刻蚀；步骤3中采用制程控制系统进行监测对所述多晶硅栅极进行第二次刻蚀的具体过程为：步骤31.制程控制系统根据原始的底部抗反射层的厚度H1和第一刻蚀的厚度H2获取第二次刻蚀时间；步骤32.根据所述第二次刻蚀时间对所述多晶硅栅极进行第二次刻蚀；步骤31中获取第二次刻蚀时间的具体过程为：根据公式(1)获取第二次的刻蚀时间Time：Time＝(H1‑H2)/ER  (1)其中，ER表示底部抗反射层刻蚀速率。