[发明专利]一种垂直LED结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种垂直LED结构及其制作方法，首先通过离子注入技术将外延层分割成若干绝缘分离的独立发光半导体层，以取代传统的先制作隔离槽再填充绝缘材料的复杂工艺，并在各独立发光半导体层上形成独立接触层，接着在各独立接触层上形成网状结构的DBR反射层以取代银镜面反射层，再在各网状结构的DBR反射层上形成独立金属功能层。本发明通过在独立接触层上设置网状结构的DBR反射层以取代银镜面反射层，在网状结构的DBR反射层上设有价格便宜的独立金属功能层，在解决亮度提升问题和散热问题的同时，降低了LED的生产成本，适于商业化大规模生产。

主权项

一种垂直LED结构制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成发光半导体层，并通过离子注入工艺在发光半导体层的预定位置形成若干高阻态离子注入层，所述若干高阻态离子注入层将所述发光半导体层分割成若干绝缘分离的独立发光半导体层，各独立发光半导体层均包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；在各独立发光半导体层的P型半导体层上形成一独立接触层，相邻的独立接触层之间具有暴露所述高阻态离子注入层的空隙；在各独立接触层上形成一网状结构的DBR反射层；在各网状结构的DBR反射层以及网状结构的DBR反射层暴露出来的独立接触层上形成一独立金属功能层，相邻的独立金属功能层之间具有暴露所述高阻态离子注入层的空隙；提供一基板，所述基板包括若干导电基板、用以绝缘隔离及固定所述若干导电基板的隔离固定板以及形成于每个导电基板上的第一焊盘；将形成有所述独立金属功能层的衬底与所述基板组合在一起，所述隔离固定板插入到相邻的独立金属功能层之间的空隙中；剥离掉所述衬底；在各独立发光半导体层的N型半导体层上形成一第二焊盘；沿所述高阻态离子注入层和隔离固定板进行切割，形成若干垂直LED结构。