[发明专利]外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型在审
| 申请号： | 201410712365.7 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104392058A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘燕;宋志棠;汪恒;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参数和器件模型参数；根据校验后的工艺模型参数和器件模型参数建立二极管电学特性与器件尺寸、工艺模型参数和器件模型参数的依存性关系；利用寄生三极管网络模型仿真二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系，然后校验二极管阵列器件的工艺优化条件。根据下一代二极管驱动阵列器件的性能要求，可以方便、快捷地确定器件工艺条件和器件参数，预测器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 沟道 隔离 二极管 驱动 阵列 建模 方法 仿真 模型 | ||
【主权项】：
一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列的建模方法，其特征在于，所述建模方法至少包括：(1)提取单一器件尺寸、规模以及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数；(2)根据步骤(1)中提取的工艺模型参数和器件模型参数，建立不同器件尺寸和规模以及不同工艺条件下的工艺模型和器件模型；(3)依据实验流片的参数测试结果校验不同器件尺寸、规模及不同工艺条件下的工艺模型参数和器件模型参数；(4)根据步骤(3)中校验后的工艺模型参数和器件模型参数建立二极管电学特性与器件尺寸、工艺模型参数和器件模型参数的依存性关系；(5)利用寄生三极管网络模型仿真二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系；(6)依据步骤(5)中得到的二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系，校验二极管阵列器件的工艺优化条件。
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