[发明专利]一种采用存储器监测器件制程余量的方法有效
| 申请号： | 201410697305.2 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409380A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡恩静 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用存储器监测器件制程余量的方法，涉及半导体领域。提供一容量为64M的存储器，所述存储器包括有16个存储单元，每个存储单元包括有4个存储量为1M的块，每个所述块内部包括有一个存储地址，每个所述存储地址与一个IO端口一一对应，所述存储器通过IO端口读入被监测器件的数据；其中，8个存储单元用于读取所述被监测器件的关键层的数据，另8个存储单元用于读取体现所示被监测器件的低工作电压良率的数据；根据存入块中数据的数量获取所述器件的制程余量。采用本方法能够实时获得key layer的制程余量参数，并为制程提供控制范围，达到了成本低，省时省力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 存储器 监测 器件 余量 方法 | ||
【主权项】：
一种采用存储器监测器件制程余量的方法，其特征在于，提供一容量为64M的存储器，所述存储器包括有16个存储单元，每个存储单元包括有4个存储量为1M的块，每个所述块内部包括有一个存储地址，每个所述存储地址与一个IO端口一一对应，所述存储器通过IO端口读入被监测器件的数据；其中，8个存储单元用于读取所述被监测器件的关键层的数据，另8个存储单元用于读取体现所示被监测器件的低工作电压良率的数据；根据存入块中数据的数量获取所述器件的制程余量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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