[发明专利]一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片有效
| 申请号： | 201410695809.0 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104477995B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张仲;相忠诚;王庆宝 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取1g‑10g还原氧化石墨烯溶于20ml无水乙醇中，在磁力搅拌机中充分搅拌1小时，然后旋涂在1cmX1cm单晶硅上；(2)取0.5g‑3gMoO3粉末放入钢玉舟中；(3)旋涂后的单晶硅面朝MoO3粉末放置但不直接接触MoO3粉末；(4)将单晶硅和钢玉舟放入高温炉恒温区中，并通入氮气N2；(5)将高温炉加热到850摄氏度并保持2小时，自然降温至室温。本发明的方法简单易行，成功率极高，能够达到90％以上，产品分布均匀、型为纳米片状，产品精度极高，适宜推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 moo sub 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MoO2纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取1g‑10g还原氧化石墨烯溶于20ml无水乙醇中，在磁力搅拌机中充分搅拌1小时，然后旋涂在长度和宽度均为1cm的单晶硅上；(2)取0.5g‑3g MoO3粉末放入钢玉舟中；(3)步骤(1)旋得到的涂后的单晶硅面朝MoO3粉末放置但不直接接触MoO3粉末，旋涂后的所述单晶硅与MoO3粉末的距离不超过3cm；(4)将单晶硅和钢玉舟放入高温炉恒温区中，并通入氮气；(5)将高温炉加热到850摄氏度并保持2小时，自然降温至室温，即得。
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