[发明专利]一种MOCVD反应器在审
| 申请号： | 201410694026.0 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104498906A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 罗才旺;魏唯;陈特超;刘欣;陈峰武 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;李发军 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOCVD反应器。所述反应器包括旋转支撑轴，装在旋转支撑轴顶端的基片载盘，以及设置在基片载盘下方的加热组件；所述加热组件为上下布置的多层加热组件，相邻两层加热组件具有间隙，在所述加热组件设有热屏蔽组件。由此，多层加热元件的设计能够将整个载片盘下方的面积都利用起来。从而增加了高温辐射面积，使加热元件在相同温度下能够将载片盘加热到更高的温度，加热效率提高30%左右，为沉积高质量AlGaN/AlN外延薄膜提供更宽的温度窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 反应器 | ||
【主权项】：
一种MOCVD反应器，包括旋转支撑轴（11），装在旋转支撑轴（11）顶端的基片载盘（5），以及设置在基片载盘（5）下方的加热组件；其特征在于，所述加热组件为上下布置的多层加热组件（14,15,16,17），相邻两层加热组件（14,15,16,17）具有间隙，在所述加热组件设有热屏蔽组件（7）。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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