[发明专利]用于改进非易失性存储器的读操作和写操作的低电阻位线和源线装置有效
| 申请号： | 201410686705.3 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN104599713B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | C·德雷;B·C·林;F·哈姆扎奥卢;L·魏;王奕 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述的是用于改善读裕度和写裕度的装置。所述装置包括：源线；第一位线；电阻式存储器单元的列，所述列中的每一个电阻式存储器单元在一端耦合到源线，并且在另一端耦合到第一位线；和第二位线，其平行于所述第一位线，所述第二位线在电阻式存储器单元的位线上对读和写操作进行解耦合。还描述了一种装置，其包括：源线；位线；电阻式存储器单元的列，所述列中的每一个电阻式存储器单元在一端耦合到源线并且在另一端耦合到位线；以及耦合到所述位线和所述源线的源线写驱动器，其中，所述源线写驱动器沿电阻式存储器单元的列分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 非易失性存储器 操作 电阻 线装 | ||
【主权项】：
1.一种用于改善读操作和写操作的装置，所述装置包括：源线；第一位线；电阻式存储器单元的列，所述列的每一个电阻式存储器单元在一端耦合到所述源线，并且在另一端耦合到所述第一位线；平行于所述第一位线的第二位线，所述第二位线用于对在所述电阻式存储器单元的所述第一位线上的读操作和写操作进行解耦合；以及耦合到所述第二位线的源线写驱动器，其中，所述源线写驱动器沿所述电阻式存储器单元的列分布，其中，所述源线写驱动器中的每一个包括：耦合到所述源线和地或电源的晶体管；以及电阻元件，其一端耦合到所述第二位线，并且另一端耦合到所述晶体管的栅极端子，其中，采用磁隧道结(MTJ)设备将位线选择信号传送到所述源线写驱动器。
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