[发明专利]一种宽频高提取率的LED芯片结构及其设计方法在审
| 申请号： | 201410678856.4 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104362229A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋寻涯;方海闻 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于LED技术领域，具体为一种宽频高提取率的LED芯片结构及其设计方法。本发明的LED芯片结构自下而上依次为：DBR反射层，蓝宝石衬底，缓冲层，n型半导体层，多量子阱层，p型半导体层，其中，p型半导体层中设计了正方晶格的锥形光子晶体阵列。本发明利用有限时域差分法，在p型半导体层上设计一种简单的锥形光子晶体结构，使芯片的出光率大幅度提高，尤其在460nm蓝光波段范围，效果显著，增强达14倍。本发明制作成本低，加工难度小，结合已有的ITO透明电极，电流扩散层，图形衬底，DBR反射层等技术将是LED光效有一个质的提高，可以大大降低单位流明成本，而且大幅度延长了LED寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽频 提取 led 芯片 结构 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种宽频高提取率的LED芯片结构，其特征在于：其自下而上依次为：DBR反射层1，蓝宝石衬底2，缓冲层3，n型半导体层4，多量子阱层5，p型半导体层6，其中，p型半导体层6中设计了正方晶格的锥形光子晶体阵列。
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