[发明专利]SOI动态阈值晶体管有效
| 申请号： | 201410675314.1 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104362174A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | soi 动态 阈值 晶体管 | ||
【主权项】：
一种SOI动态阈值晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；所述第一多叉指栅极结构与所述第二多叉指栅极结构均包括：两个平行分布的第一条状栅极及多个位于所述两个第一条状栅极之间且与所述第一条状栅极垂直连接的第二条状栅极；所述第一条状栅极及第二条状栅极将所述半导体衬底隔成多个区域，所述源区及漏区交替分布于所述多个区域内；所述体接触区为多个，平行分布于所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构之间，为所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构所共用；靠近所述体接触区的两个第一条状栅极通过所述第一接触孔与所述体接触区相连接。
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