[发明专利]SOI动态阈值晶体管

权利要求书

1.一种SOI动态阈值晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；

所述第一多叉指栅极结构与所述第二多叉指栅极结构均包括：两个平行分布的第一条状栅极及多个位于所述两个第一条状栅极之间且与所述第一条状栅极垂直连接的第二条状栅极；所述第一条状栅极及第二条状栅极将所述半导体衬底隔成多个区域，所述源区及漏区交替分布于所述多个区域内；

所述体接触区为多个，平行分布于所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构之间，为所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构所共用；

靠近所述体接触区的两个第一条状栅极通过所述第一接触孔与所述体接触区相连接。

2.根据权利要求1所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述靠近体接触区的两个第一条状栅极分别横跨所有所述体接触区，且与所述体接触区部分重叠；所述靠近体接触区的两个第一条状栅极之间相隔一定的间距。

3.根据权利要求2所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述第一接触孔横跨所述靠近体接触区的两个第一条状栅极之间的体接触区部分，其两端分别位于所述靠近体接触区的两个第一条状栅极与所述体接触区重叠的区域。

4.根据权利要求3所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构均包括位于所述半导体衬底上的栅介质层及位于所述栅介质层上的栅极材料层。

5.根据权利要求4所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：位于所述靠近体接触区的两个第一条状栅极与所述体接触区重叠的区域内的第一接触孔的端部贯穿所述栅极材料层，所述第一接触孔端部的底部位于所述栅介质层的上表面。

6.根据权利要求1所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述第一多叉指栅极结构内的栅极与所述第二多叉指栅极结构内的栅极通过金属线并联。

7.根据权利要求1所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述第一多叉指栅极结构内的各个所述漏区分别通过金属线短接，所述第二多叉指栅极结构内的各个所述漏区通过金属线短接；所述第一多叉指栅极结构内的漏区与所述第二多叉指栅极结构内的漏区通过金属线并联。

8.根据权利要求1所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述第一多叉指栅极结构与所述第二多叉指栅极结构对称地分布在所述体接触区的两端。

9.根据权利要求8所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述体接触区的数量与每个多叉指栅极结构内的所述第二条状栅极的数量相同，所述体接触区与所述第一条状栅极垂直；且每个所述体接触区位于其两端的所述第二条状栅极在所述半导体衬底上的投影连线上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的SOI动态阈值晶体管，其特征在于：所述SOI动态阈值晶体管还包括虚拟栅极，所述虚拟栅极分别位于所述第一多叉指栅极结构及所述第二多叉指栅极结构的两端，且位于每个多叉指栅极结构内的所述两个第一条状栅极之间的区域，与每个多叉指栅极结构内的所述第一条状栅极及所述第二条状栅极均相隔一定的间距。