[发明专利]一种聚铝碳硅烷的合成方法有效
| 申请号： | 201410675079.8 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104327274A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 谢征芳;王军;宋永才;王浩;简科;邵长伟;苟燕子 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 陈亚琴;宁星耀 |
| 地址： | 410073 湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种聚铝碳硅烷的合成方法，包括以下步骤：（1）将软化点50～100℃的聚碳硅烷置于反应器中，抽真空，再用惰性气体置换反应系统内气体至常压，加入有机溶剂溶解，得组分a；（2）在惰性气体气氛保护下，室温下将组分a加入到卤化铝中，搅拌，程序升温后反应，得组分b；（3）在组分b中加入格氏试剂或有机锂试剂反应，得组分c；（4）将组分c过滤，将滤液程序升温后保温，然后减压蒸馏，最后冷却至室温，即得聚铝碳硅烷。本发明方法反应温度较低，所制得的聚铝碳硅烷氧含量低；无超高分子量部分，且分子量分布系数较低，有利于熔融纺丝或纤维制备；工艺简便，适于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚铝碳 硅烷 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将软化点为50～100 ℃的聚碳硅烷置于反应器中，反应系统内抽真空，再用惰性气体置换反应系统内气体至常压，重复≥2次，加入有机溶剂溶解，得组分a；（2）在惰性气体气氛保护下，室温下将步骤（1）所得组分a加入到卤化铝中，搅拌，程序升温至130～145 ℃，反应6～14 h，得组分b；（3）在步骤（2）所得组分b中加入格氏试剂或有机锂试剂，在130～145 ℃下，反应6～12 h，得组分c；（4）将步骤（3）所得组分c过滤，将滤液程序升温至400～450 ℃，保温0.5～6 h，然后减压蒸馏，冷却至室温，即得聚铝碳硅烷。
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