[发明专利]一种聚铝碳硅烷的合成方法

权利要求书

1.一种聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将软化点为50～100 ℃的聚碳硅烷置于反应器中，反应系统内抽真空，再用惰性气体置换反应系统内气体至常压，重复≥2次，加入有机溶剂溶解，得组分a；

（2）在惰性气体气氛保护下，室温下将步骤（1）所得组分a加入到卤化铝中，搅拌，程序升温至130～145 ℃，反应6～14 h，得组分b；

（3）在步骤（2）所得组分b中加入格氏试剂或有机锂试剂，在130～145 ℃下，反应6～12 h，得组分c；

（4）将步骤（3）所得组分c过滤，将滤液程序升温至400～450 ℃，保温0.5～6 h，然后减压蒸馏，冷却至室温，即得聚铝碳硅烷。

2.根据权利要求1所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（2）中，所述卤化铝的量为聚碳硅烷的3～15 wt%。

3.根据权利要求2所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（2）中，所述卤化铝的量为聚碳硅烷的6～10 wt%。

4.根据权利要求1～3之一所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（3）中，所述格氏试剂为RMgX，所述有机锂试剂为RLi，其中，R为C原子数≤10的饱和烃基、不饱和烃基或芳香基团，X为Cl、Br或I；格氏试剂或有机锂试剂的加入量为卤化铝摩尔数的1～3倍。

5.根据权利要求1～3之一所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（4）中，所述减压蒸馏的温度为360～380 ℃，压力为-0.1 MPa，时间为1～2h。

6.根据权利要求4所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（4）中，所述减压蒸馏的温度为360～380 ℃，压力为-0.1 MPa，时间为1～2h。

7.根据权利要求1～3之一所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（1）中，所述有机溶剂为二甲苯、甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷或正己烷中的一种或几种。

8.根据权利要求4所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（1）中，所述有机溶剂为二甲苯、甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷或正己烷中的一种或几种。

9.根据权利要求5所述聚铝碳硅烷的合成方法，其特征在于：步骤（1）中，所述有机溶剂为二甲苯、甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷或正己烷中的一种或几种。