[发明专利]一种低杂质含量的太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种低杂质含量的太阳能电池制备方法，采用在硅片的正背面形成氧化硅层进行快速退火工艺，并且结合热扩散工艺，使硅片中的杂质被激活并迁移至氧化硅层，再清除富集杂质的氧化硅层，从而大幅减少太阳能电池杂质含量，有效提高硅片的平均少子寿命和电池光电转换效率。

主权项

一种低杂质含量的太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A．用HF酸对硅片进行预处理，除去所述硅片表面的污垢；B．氧化所述硅片并在所述硅片的正面和背面形成第一氧化硅层；C．对所述硅片进行第一次快速退火处理，以激活所述硅片中的杂质迁移至所述第一氧化硅层；D．对所述硅片进行湿法制绒，去除所述第一氧化硅层；E．将制绒后的所述硅片放入扩散炉内进行热扩散；F．将所述硅片置于HF溶液酸槽中浸泡，去除磷硅玻璃层；G．将去除磷硅玻璃层的所述硅片再次氧化，并在所述硅片的正面和背面形成第二氧化硅层；H．对所述硅片进行第二次快速退火处理，进一步激活所述硅片中少量的杂质迁移至所述第二氧化硅层；I．将经第二次快速退火处理的所述硅片用HF酸处理，去除所述第二氧化硅层；J．在所述硅片正面形成氮化硅减反膜；K．在所述硅片正面形成正电极，所述硅片背面形成背电极和铝背场；L．烧结。