[发明专利]实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法有效
申请号: | 201410663518.3 | 申请日: | 2014-11-19 |
公开(公告)号: | CN104362078A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 许可;戚爰伟;侯静;李孟歆;张颖 | 申请(专利权)人: | 沈阳建筑大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B82B3/00 |
代理公司: | 沈阳火炬专利事务所(普通合伙) 21228 | 代理人: | 李福义 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及纳米操作领域,具体地说是涉及一种实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法,其采用闭环实时检测装配方法,通过信号发生器对微电极施加交直流叠加的驱动信号,其中交流信号作为驱动信号,直流偏置信号作为检测信号;通过扫描直流偏置信号跳变实现实时反馈;本发明采用浮动电势介电泳技术,基于闭环控制思想,解决了纳电子器件有效装配效率低、难于自动化、规模化装配的难题,具有不破坏纳米管线本身物理、化学性质的特点,根据不同纳米材料独特的物理化学特性,可测出各种力的微小变化。 | ||
搜索关键词: | 实时 反馈 纳米 电子器件 自动化 装配 制造 方法 | ||
【主权项】:
实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法,其特征在于:其采用闭环实时检测装配方法,通过信号发生器对微电极施加交直流叠加的驱动信号,其中交流信号作为驱动信号,直流偏置信号作为检测信号;通过扫描直流偏置信号跳变实现实时反馈;其具体步骤如下:1)将纳米材料预处理;2)将电场所需的交直流叠加信号通过探针分别施加在微电极芯片的源极和漏极;对该电极施加的交直流叠加信号中正弦交流信号作为驱动信号,进行扫描,其扫描频率从300K‑3MHz,扫描时间2~10秒;3)将预处理后的1~2μL纳米材料通过点样探针滴定在电极的源漏极中间间隙处,当纳米材料滴加电极两端时,直流偏置信号作为检测信号发生跳变,在扫描时间内,若直流偏置信号的跳变显示在示波器上,则快速获取成功装配的实验参数,完成该微电极装配,并在扫描时间结束后自动运行到对下一对电极进行装配;若直流偏置信号的跳变未显示在示波器上,则该微电极装配失败,自动运行到下一对电极进行装配。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳建筑大学,未经沈阳建筑大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410663518.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:增力机构及包括它的压力机
- 下一篇:机械式停车设备使用的带充电结构的载车板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造