[发明专利]实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法

权利要求书

1.实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法，其特征在于：其采用闭环实时检测装配方法，通过信号发生器对微电极施加交直流叠加的驱动信号，其中交流信号作为驱动信号，直流偏置信号作为检测信号；通过扫描直流偏置信号跳变实现实时反馈；其具体步骤如下：

1)将纳米材料预处理；

2)将电场所需的交直流叠加信号通过探针分别施加在微电极芯片的源极和漏极；对该电极施加的交直流叠加信号中正弦交流信号作为驱动信号，进行扫描，其扫描频率从300K-3MHz，扫描时间2～10秒；

3)将预处理后的1～2μL纳米材料通过点样探针滴定在电极的源漏极中间间隙处，当纳米材料滴加电极两端时，直流偏置信号作为检测信号发生跳变，在扫描时间内，若直流偏置信号的跳变显示在示波器上，则快速获取成功装配的实验参数，完成该微电极装配，并在扫描时间结束后自动运行到对下一对电极进行装配；若直流偏置信号的跳变未显示在示波器上，则该微电极装配失败，自动运行到下一对电极进行装配。

2.根据权利要求1所述的实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法，其特征在于：所述纳米材料为氧化锌纳米线、碳纳米管或氧化铜纳米线。

3.根据权利要求1所述的实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法，其特征在于：所述交流信号作为驱动信号，其峰峰值电压为6～10V_p-p，频率300K-3MHz。

4.根据权利要求1所述的实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法，其特征在于：所述直流偏置信号作为检测信号，偏置电压为5V。

5.根据权利要求1所述的实时反馈的纳米电子器件自动化装配制造方法，其特征在于：所述源漏电极间的距离为1μm。