[发明专利]一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法在审
| 申请号： | 201410659999.0 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104390993A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王丹;王广勇;李诺;尼志超;张晋会 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/223 | 分类号： | G01N23/223;H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 杨慧玲 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明创造提供一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，该检测方法首先通过化学机械抛光的方法制备8英寸抛光片；然后通过X荧光光谱仪检测硅抛光片中的痕量元素并进行数据分析；最终得出各痕量元素的种类和含量。本发明创造具有的优点和积极效果是：采用半导体制造技术企业常用设备全反射X荧光光谱仪对8英寸抛光片痕量元素，不需要复杂的样品前期处理过程，测定步骤简单，高效快速，检测结果准确度高，有着广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 英寸 抛光 痕量 元素 方法 | ||
【主权项】：
一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法，其特征在于：所述检测方法包括如下步骤：步骤一：在抛光设备中对8英寸硅片依次进行边缘抛光、粗抛光、精抛光工序，制备8英寸硅抛光片；步骤二：将8英寸硅抛光片放置于全反射X荧光光谱仪中；步骤三：在8英寸硅抛光片上选取若干测试点；步骤四：通过全反射X荧光光谱仪依次检测8英寸硅抛光片上各测试点各痕量元素的荧光强度值。
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