[发明专利]一种改进的晶圆减薄加工方法在审
| 申请号： | 201410659890.7 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104409581A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈冲;陈晓刚;杨广英;靳彩霞 | 申请（专利权）人： | 迪源光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/66;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明适用于LED芯片生产领域，提供了一种改进的晶圆减薄加工方法，包括：获得经过外延生长氮化镓层的晶圆；获取晶圆的边缘的倒角度和晶圆面上各点的晶圆厚度；通过计算边缘上的多个晶圆厚度与中心晶圆厚度之间距离，确定所述距离超过阈值的一个或多个点；依据所述一个或多个点到晶圆边缘的经长距离和所述倒角度打磨所述晶圆的边缘，以便完成所述打磨的晶圆进行后续的减薄工序。通过对经过氮化镓层处理过的晶圆的边缘厚度检测，识别不满足厚度要求的区域，并结合晶圆边缘倒角，对超过厚度阈值的晶圆边缘进行打磨。从而保证了在后续的研磨工序中，避免因为蜡挤压厚度超过阈值的晶圆边缘引发的晶圆最终薄片厚度偏低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 晶圆减薄 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的晶圆减薄加工方法，其特征在于，所述方法包括：获得经过外延生长氮化镓层处理过的晶圆；获取晶圆的边缘的倒角度和晶圆面上各点的晶圆厚度；通过计算边缘上的多个晶圆厚度与中心晶圆厚度之间距离，确定所述距离超过阈值的一个或多个点；依据所述一个或多个点到晶圆边缘的经长距离和所述倒角度打磨所述晶圆的边缘，以便完成所述打磨的晶圆进行后续的减薄工序。
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